Control automaticu di temperatura è umidità
A temperatura è l'umidità di a stanza pulita sò principarmenti determinate secondu e esigenze di u prucessu, ma sottu à a cundizione chì i requisiti di u prucessu sò cumpletati, u cunfortu umanu deve esse cunsideratu.Cù l'aumentu di i bisogni di purificazione di l'aria, ci hè una tendenza chì u prucessu hà esigenze più è più strette nantu à a temperatura è l'umidità.
Siccomu a precisione di u machining hè sempre più fina, i requisiti per u intervallu di fluttuazione di a temperatura sò sempre più chjuchi.Per esempiu, in u prucessu di esposizione litografia di a pruduzzioni di circuiti integrati à grande scala, a diffarenza trà u coefficient di espansione termale di vetru è wafer di siliciu cum'è u materiale di u diafragma hè necessariu per esse più chjuca è più chjuca.Un wafer di siliciu cù un diametru di 100μm pruvucarà una espansione lineale di 0.24μm quandu a temperatura aumenta di 1 gradu.Dunque, deve esse una temperatura constante di ± 0,1 gradi.À u stessu tempu, u valore di l'umidità hè generalmente necessariu per esse bassu, perchè dopu chì una persona suda, u pruduttu serà contaminatu, soprattuttu Per l'attellu di semiconductor chì anu a paura di sodiu, stu tipu di attellu pulitu ùn deve micca più di 25 gradi.
L'umidità eccessiva provoca più prublemi.Quandu l'umidità relativa supera u 55%, a cundensazione si farà nantu à u muru di u tubu di l'acqua di rinfrescante.S'ellu si trova in un dispusitivu di precisione o circuitu, pruvucarà diversi accidenti.Hè facilitu per arrugginà quandu l'umidità relativa hè 50%.Inoltre, quandu l'umidità hè troppu alta, a polvera nantu à a superficia di l'oblea di siliciu serà adsorbita chimicamente da e molécule d'acqua in l'aria à a superficia, chì hè difficiule di sguassà.A più alta l'umidità relativa, u più difficiuli di caccià l'aderenza, ma quandu l'umidità relativa hè più bassa di 30%, i particeddi sò ancu facilmente adsorbiti nantu à a superficia per via di l'azzione di a forza elettrostatica, è un gran numaru di semiconductor. i dispusitivi sò propensi à guasgi.U megliu intervallu di temperatura per a produzzione di wafer di siliciu hè 35 ~ 45%.
